CED21A2 Todos los transistores

 

CED21A2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CED21A2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 38 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 216 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251
 

 Búsqueda de reemplazo de CED21A2 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

CED21A2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:215K  cet
 ceu21a2 ced21a2.pdf pdf_icon

CED21A2

CED21A2/CEU21A2N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES20V, 20A, RDS(ON) = 40m @VGS = 4.5V. RDS(ON) = 70m @VGS = 2.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMU

Otros transistores... CEU06N7 , CEU07N65A , CEU08N6A , CEU12N10 , CEU12N10L , CEU14G04 , CED16N10 , CED16N10L , AO4407 , CED25N15L , CED3060 , CED3100 , CED3120 , CED3172 , CED3252 , CED4060A , CED4060AL .

History: OSG60R180HF | AOI478 | 2SK3524-01 | 2SK3376MFV | SSF2N60F | IXFT40N85XHV

 

 
Back to Top

 


 
.