CED21A2. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CED21A2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 216 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для CED21A2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CED21A2 даташит

 ..1. Size:215K  cet
 ceu21a2 ced21a2.pdf pdf_icon

CED21A2

CED21A2/CEU21A2 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 20V, 20A, RDS(ON) = 40m @VGS = 4.5V. RDS(ON) = 70m @VGS = 2.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAXIMU

Другие IGBT... CEU06N7, CEU07N65A, CEU08N6A, CEU12N10, CEU12N10L, CEU14G04, CED16N10, CED16N10L, IRF530, CED25N15L, CED3060, CED3100, CED3120, CED3172, CED3252, CED4060A, CED4060AL