CED21A2 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: CED21A2
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 216 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
Тип корпуса: TO251
Аналог (замена) для CED21A2
CED21A2 Datasheet (PDF)
ceu21a2 ced21a2.pdf

CED21A2/CEU21A2N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES20V, 20A, RDS(ON) = 40m @VGS = 4.5V. RDS(ON) = 70m @VGS = 2.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMU
Другие MOSFET... CEU06N7 , CEU07N65A , CEU08N6A , CEU12N10 , CEU12N10L , CEU14G04 , CED16N10 , CED16N10L , STP80NF70 , CED25N15L , CED3060 , CED3100 , CED3120 , CED3172 , CED3252 , CED4060A , CED4060AL .
History: CEU14G04 | QM2416K



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP5N10SI | AP5N10MI | AP5N10BSI | AP5N10BI | AP5N06MI | AP5N04MI | AP55N10F | AP50P10P | AP50P10NF | AP50P10D | AP50P04DF | AP50P04D | AP50P03NF | AP50P03DF | AP50P03D | AP30N10D
Popular searches
mje15031 | irfp150n | mj15025 | mp1620 | kta1381 | bf494 | 2sc1885 | skd502t