CED3252 Todos los transistores

 

CED3252 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CED3252
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 31 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 135 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251
 

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CED3252 Datasheet (PDF)

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CED3252

CED3252/CEU3252N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES30V, 25A, RDS(ON) = 28m @VGS = 10V. RDS(ON) = 39m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMUM

Otros transistores... CED16N10 , CED16N10L , CED21A2 , CED25N15L , CED3060 , CED3100 , CED3120 , CED3172 , TK10A60D , CED4060A , CED4060AL , CED40N10 , CED4204 , CED540L , CED540N , CED55N10 , CED6056 .

History: HGA040N06S | MPSA65M380B | STB23NM50N | STP20NF06L

 

 
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