CED3252. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CED3252

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 135 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для CED3252

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CED3252 даташит

 ..1. Size:421K  cet
 ceu3252 ced3252.pdf pdf_icon

CED3252

CED3252/CEU3252 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 30V, 25A, RDS(ON) = 28m @VGS = 10V. RDS(ON) = 39m @VGS = 4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAXIMUM

Другие IGBT... CED16N10, CED16N10L, CED21A2, CED25N15L, CED3060, CED3100, CED3120, CED3172, TK10A60D, CED4060A, CED4060AL, CED40N10, CED4204, CED540L, CED540N, CED55N10, CED6056