Справочник MOSFET. CED3252

 

CED3252 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CED3252
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 135 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для CED3252

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CED3252 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:421K  cet
 ceu3252 ced3252.pdf pdf_icon

CED3252

CED3252/CEU3252N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES30V, 25A, RDS(ON) = 28m @VGS = 10V. RDS(ON) = 39m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMUM

Другие MOSFET... CED16N10 , CED16N10L , CED21A2 , CED25N15L , CED3060 , CED3100 , CED3120 , CED3172 , IRFZ24N , CED4060A , CED4060AL , CED40N10 , CED4204 , CED540L , CED540N , CED55N10 , CED6056 .

History: OSG70R280KF | DH045N04P | IRFZ34EPBF

 

 
Back to Top

 


 
.