CED6186 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CED6186

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 38 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 28 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 125 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm

Encapsulados: TO251

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CED6186 datasheet

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CED6186

CED6186/CEU6186 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 60V, 28A, RDS(ON) = 25m @VGS = 10V. RDS(ON) = 32m @VGS = 4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAXIMUM

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CED6186

CED6186/CEU6186 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 60V, 28A, RDS(ON) = 25m @VGS = 10V. RDS(ON) = 32m @VGS = 4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAXIMUM

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