CED6186 Todos los transistores

 

CED6186 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CED6186
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 38 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 28 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 125 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251
 

 Búsqueda de reemplazo de CED6186 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

CED6186 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:414K  cet
 ced6186 ceu6186.pdf pdf_icon

CED6186

CED6186/CEU6186N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES60V, 28A, RDS(ON) = 25m @VGS = 10V. RDS(ON) = 32m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMUM

 ..2. Size:415K  cet
 ceu6186 ced6186.pdf pdf_icon

CED6186

CED6186/CEU6186N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES60V, 28A, RDS(ON) = 25m @VGS = 10V. RDS(ON) = 32m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMUM

Otros transistores... CED40N10 , CED4204 , CED540L , CED540N , CED55N10 , CED6056 , CED6060N , CED6086 , 7N60 , CED630N , CED6336 , CED6426 , CED655 , CED730G , CEU16N10 , CEU16N10L , CEU21A2 .

History: STK001SF | KMB8D0P30Q | 2SK2272-01R | BLP02N06-D | 2SK615 | VSA007N02KD | 2SK630

 

 
Back to Top

 


 
.