CED6186 Todos los transistores

 

CED6186 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CED6186
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 38 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 28 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 125 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251
 

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CED6186 Datasheet (PDF)

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CED6186

CED6186/CEU6186N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES60V, 28A, RDS(ON) = 25m @VGS = 10V. RDS(ON) = 32m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMUM

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 ceu6186 ced6186.pdf pdf_icon

CED6186

CED6186/CEU6186N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES60V, 28A, RDS(ON) = 25m @VGS = 10V. RDS(ON) = 32m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMUM

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History: RSD080N06FRA | EFC4621R | IRH9230 | MVGSF1N03L | 2N06L11P | BSC042N03SG | FQI9N25CTU

 

 
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