CED6186. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CED6186

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 125 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для CED6186

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CED6186 даташит

 ..1. Size:414K  cet
 ced6186 ceu6186.pdf pdf_icon

CED6186

CED6186/CEU6186 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 60V, 28A, RDS(ON) = 25m @VGS = 10V. RDS(ON) = 32m @VGS = 4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAXIMUM

 ..2. Size:415K  cet
 ceu6186 ced6186.pdf pdf_icon

CED6186

CED6186/CEU6186 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 60V, 28A, RDS(ON) = 25m @VGS = 10V. RDS(ON) = 32m @VGS = 4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAXIMUM

Другие IGBT... CED40N10, CED4204, CED540L, CED540N, CED55N10, CED6056, CED6060N, CED6086, AO3407, CED630N, CED6336, CED6426, CED655, CED730G, CEU16N10, CEU16N10L, CEU21A2