Справочник MOSFET. CED6186

 

CED6186 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CED6186
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 125 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для CED6186

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CED6186 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:414K  cet
 ced6186 ceu6186.pdf pdf_icon

CED6186

CED6186/CEU6186N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES60V, 28A, RDS(ON) = 25m @VGS = 10V. RDS(ON) = 32m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMUM

 ..2. Size:415K  cet
 ceu6186 ced6186.pdf pdf_icon

CED6186

CED6186/CEU6186N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES60V, 28A, RDS(ON) = 25m @VGS = 10V. RDS(ON) = 32m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMUM

Другие MOSFET... CED40N10 , CED4204 , CED540L , CED540N , CED55N10 , CED6056 , CED6060N , CED6086 , 7N60 , CED630N , CED6336 , CED6426 , CED655 , CED730G , CEU16N10 , CEU16N10L , CEU21A2 .

History: NVHL072N65S3 | PNM523T703E0-2 | HUFA75623S3ST | 2SK4067I | FQI9N25CTU | NP89N04PDK | CHM4282JGP

 

 
Back to Top

 


 
.