CED6186 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: CED6186
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 125 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
Тип корпуса: TO251
Аналог (замена) для CED6186
CED6186 Datasheet (PDF)
ced6186 ceu6186.pdf

CED6186/CEU6186N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES60V, 28A, RDS(ON) = 25m @VGS = 10V. RDS(ON) = 32m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMUM
ceu6186 ced6186.pdf

CED6186/CEU6186N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES60V, 28A, RDS(ON) = 25m @VGS = 10V. RDS(ON) = 32m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMUM
Другие MOSFET... CED40N10 , CED4204 , CED540L , CED540N , CED55N10 , CED6056 , CED6060N , CED6086 , 7N60 , CED630N , CED6336 , CED6426 , CED655 , CED730G , CEU16N10 , CEU16N10L , CEU21A2 .
History: HRF140N06K | 2N60A | 2SK1669 | SSG4536C | 2SK2411 | AONS21309C | SI1012R
History: HRF140N06K | 2N60A | 2SK1669 | SSG4536C | 2SK2411 | AONS21309C | SI1012R



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
c2026 transistor | 2n3903 transistor | 2n4360 | 2n2613 | c2166 transistor | 2sd330 | 20n60 | ksa1013