CED630N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CED630N
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 54 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 200 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 7.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tiempo de elevación (tr): 15 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 130 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.36 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO251
Búsqueda de reemplazo de MOSFET CED630N
CED630N Datasheet (PDF)
1.1. ceu630n ced630n.pdf 
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CED630N/CEU630N N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 200V, 7.5A, RDS(ON) = 0.36? @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless otherwis
5.1. ceu6336 ced6336.pdf Size:390K _cet
CED6336/CEU6336 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES 60V, 25A , RDS(ON) = 41m? @VGS = 10V. RDS(ON) = 55m? @VGS = 4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE M
Otros transistores... CED4204 , CED540L , CED540N , CED55N10 , CED6056 , CED6060N , CED6086 , CED6186 , 2SK2545 , CED6336 , CED6426 , CED655 , CED730G , CEU16N10 , CEU16N10L , CEU21A2 , CEU25N15L .
