CED630N Todos los transistores

 

CED630N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CED630N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 54 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 130 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.36 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251
 

 Búsqueda de reemplazo de CED630N MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

CED630N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:392K  cet
 ceu630n ced630n.pdf pdf_icon

CED630N

CED630N/CEU630NN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES200V, 7.5A, RDS(ON) = 0.36 @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless oth

 9.1. Size:390K  cet
 ceu6336 ced6336.pdf pdf_icon

CED630N

CED6336/CEU6336N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES60V, 25A , RDS(ON) = 41m @VGS = 10V. RDS(ON) = 55m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABS

Otros transistores... CED4204 , CED540L , CED540N , CED55N10 , CED6056 , CED6060N , CED6086 , CED6186 , 75N75 , CED6336 , CED6426 , CED655 , CED730G , CEU16N10 , CEU16N10L , CEU21A2 , CEU25N15L .

 

 
Back to Top

 


 
.