CED630N Todos los transistores

 

CED630N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CED630N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 54 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 200 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 7.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 15 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 130 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.36 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO251

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CED630N Datasheet (PDF)

1.1. ceu630n ced630n.pdf Size:392K _cet

CED630N
CED630N

CED630N/CEU630N N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 200V, 7.5A, RDS(ON) = 0.36? @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless otherwis

5.1. ceu6336 ced6336.pdf Size:390K _cet

CED630N
CED630N

CED6336/CEU6336 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES 60V, 25A , RDS(ON) = 41m? @VGS = 10V. RDS(ON) = 55m? @VGS = 4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE M

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