CED630N - аналоги и даташиты транзистора

 

CED630N - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: CED630N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.36 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для CED630N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CED630N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:392K  cet
 ceu630n ced630n.pdf pdf_icon

CED630N

CED630N/CEU630NN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES200V, 7.5A, RDS(ON) = 0.36 @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless oth

 9.1. Size:390K  cet
 ceu6336 ced6336.pdf pdf_icon

CED630N

CED6336/CEU6336N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES60V, 25A , RDS(ON) = 41m @VGS = 10V. RDS(ON) = 55m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABS

Другие MOSFET... CED4204 , CED540L , CED540N , CED55N10 , CED6056 , CED6060N , CED6086 , CED6186 , 75N75 , CED6336 , CED6426 , CED655 , CED730G , CEU16N10 , CEU16N10L , CEU21A2 , CEU25N15L .

History: NCEAP40ND60AG | 2SK4027 | FS10KM-10 | CEB10N65 | APT5014LVFRG | UT3N10G-AG6-R

 

 
Back to Top

 


 
.