CED6336 Todos los transistores

 

CED6336 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CED6336
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.041 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251
 

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CED6336 Datasheet (PDF)

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CED6336

CED6336/CEU6336N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES60V, 25A , RDS(ON) = 41m @VGS = 10V. RDS(ON) = 55m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABS

 9.1. Size:392K  cet
 ceu630n ced630n.pdf pdf_icon

CED6336

CED630N/CEU630NN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES200V, 7.5A, RDS(ON) = 0.36 @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless oth

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