CED6336 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CED6336
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.041 Ohm
Paquete / Cubierta: TO251
Búsqueda de reemplazo de CED6336 MOSFET
CED6336 Datasheet (PDF)
ceu6336 ced6336.pdf
CED6336/CEU6336N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES60V, 25A , RDS(ON) = 41m @VGS = 10V. RDS(ON) = 55m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABS
ceu630n ced630n.pdf
CED630N/CEU630NN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES200V, 7.5A, RDS(ON) = 0.36 @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless oth
Otros transistores... CED540L , CED540N , CED55N10 , CED6056 , CED6060N , CED6086 , CED6186 , CED630N , 2N60 , CED6426 , CED655 , CED730G , CEU16N10 , CEU16N10L , CEU21A2 , CEU25N15L , CEU3060 .
History: CEM4207
History: CEM4207
Liste
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