CED6336. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CED6336

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.041 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для CED6336

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CED6336 даташит

 ..1. Size:390K  cet
 ceu6336 ced6336.pdf pdf_icon

CED6336

CED6336/CEU6336 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES 60V, 25A , RDS(ON) = 41m @VGS = 10V. RDS(ON) = 55m @VGS = 4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABS

 9.1. Size:392K  cet
 ceu630n ced630n.pdf pdf_icon

CED6336

CED630N/CEU630N N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 200V, 7.5A, RDS(ON) = 0.36 @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless oth

Другие IGBT... CED540L, CED540N, CED55N10, CED6056, CED6060N, CED6086, CED6186, CED630N, 20N50, CED6426, CED655, CED730G, CEU16N10, CEU16N10L, CEU21A2, CEU25N15L, CEU3060