Справочник MOSFET. CED6336

 

CED6336 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CED6336
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.041 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для CED6336

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CED6336 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:390K  cet
 ceu6336 ced6336.pdf pdf_icon

CED6336

CED6336/CEU6336N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES60V, 25A , RDS(ON) = 41m @VGS = 10V. RDS(ON) = 55m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABS

 9.1. Size:392K  cet
 ceu630n ced630n.pdf pdf_icon

CED6336

CED630N/CEU630NN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES200V, 7.5A, RDS(ON) = 0.36 @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless oth

Другие MOSFET... CED540L , CED540N , CED55N10 , CED6056 , CED6060N , CED6086 , CED6186 , CED630N , 2N60 , CED6426 , CED655 , CED730G , CEU16N10 , CEU16N10L , CEU21A2 , CEU25N15L , CEU3060 .

History: 7N65KL-TF3-T | HY3215M | UF830G-TN3-R | OSG60R099HF | 2SK4019 | 2SJ78 | SUP40N10-30

 

 
Back to Top

 


 
.