CED6426 Todos los transistores

 

CED6426 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CED6426
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 32 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 2.9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.066 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

CED6426 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:345K  cet
 ced6426 ceu6426.pdf pdf_icon

CED6426

CED6426/CEU6426N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES60V, 16A , RDS(ON) = 66m @VGS = 10V. RDS(ON) = 85m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMU

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 ceu6426 ced6426.pdf pdf_icon

CED6426

CED6426/CEU6426N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES60V, 16A , RDS(ON) = 66m @VGS = 10V. RDS(ON) = 85m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMU

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History: N0602N | FSJ055R | QM2417Y1

 

 
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