CED6426. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CED6426

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 32 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 2.9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.066 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для CED6426

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CED6426 даташит

 ..1. Size:345K  cet
 ced6426 ceu6426.pdf pdf_icon

CED6426

CED6426/CEU6426 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 60V, 16A , RDS(ON) = 66m @VGS = 10V. RDS(ON) = 85m @VGS = 4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAXIMU

 ..2. Size:345K  cet
 ceu6426 ced6426.pdf pdf_icon

CED6426

CED6426/CEU6426 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 60V, 16A , RDS(ON) = 66m @VGS = 10V. RDS(ON) = 85m @VGS = 4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAXIMU

Другие IGBT... CED540N, CED55N10, CED6056, CED6060N, CED6086, CED6186, CED630N, CED6336, IRF520, CED655, CED730G, CEU16N10, CEU16N10L, CEU21A2, CEU25N15L, CEU3060, CEU3100