CED6426 - аналоги и даташиты транзистора

 

CED6426 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: CED6426
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 32 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 2.9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.066 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для CED6426

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CED6426 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:345K  cet
 ced6426 ceu6426.pdf pdf_icon

CED6426

CED6426/CEU6426N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES60V, 16A , RDS(ON) = 66m @VGS = 10V. RDS(ON) = 85m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMU

 ..2. Size:345K  cet
 ceu6426 ced6426.pdf pdf_icon

CED6426

CED6426/CEU6426N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES60V, 16A , RDS(ON) = 66m @VGS = 10V. RDS(ON) = 85m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMU

Другие MOSFET... CED540N , CED55N10 , CED6056 , CED6060N , CED6086 , CED6186 , CED630N , CED6336 , IRF520 , CED655 , CED730G , CEU16N10 , CEU16N10L , CEU21A2 , CEU25N15L , CEU3060 , CEU3100 .

History: IRHYS67234CM | AP95T06AGP | RSS085N05 | 2N3685 | APT15F60S | BUK9M5R2-30E | CS3N80A8

 

 
Back to Top

 


 
.