CED655 Todos los transistores

 

CED655 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CED655
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 43 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 85 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.45 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251
 

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CED655 Datasheet (PDF)

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CED655

CED655/CEU655N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES150V, 6.4A, RDS(ON) = 0.45 @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C

Otros transistores... CED55N10 , CED6056 , CED6060N , CED6086 , CED6186 , CED630N , CED6336 , CED6426 , IRFB31N20D , CED730G , CEU16N10 , CEU16N10L , CEU21A2 , CEU25N15L , CEU3060 , CEU3100 , CEU3120 .

History: CDM22010-650 | CEP01N65 | IRF621FI | APT48M80L | LNC08R055W3 | HGD046NE6AL | SI2343DS

 

 
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