CED655. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CED655

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 43 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.45 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для CED655

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CED655 даташит

 ..1. Size:413K  cet
 ceu655 ced655.pdf pdf_icon

CED655

CED655/CEU655 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES 150V, 6.4A, RDS(ON) = 0.45 @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C

Другие IGBT... CED55N10, CED6056, CED6060N, CED6086, CED6186, CED630N, CED6336, CED6426, IRF2807, CED730G, CEU16N10, CEU16N10L, CEU21A2, CEU25N15L, CEU3060, CEU3100, CEU3120