Справочник MOSFET. CED655

 

CED655 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CED655
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 43 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.45 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для CED655

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CED655 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:413K  cet
 ceu655 ced655.pdf pdf_icon

CED655

CED655/CEU655N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES150V, 6.4A, RDS(ON) = 0.45 @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C

Другие MOSFET... CED55N10 , CED6056 , CED6060N , CED6086 , CED6186 , CED630N , CED6336 , CED6426 , IRFB31N20D , CED730G , CEU16N10 , CEU16N10L , CEU21A2 , CEU25N15L , CEU3060 , CEU3100 , CEU3120 .

 

 
Back to Top

 


 
.