CED730G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CED730G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 68 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 400 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 105 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm

Encapsulados: TO251

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CED730G datasheet

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CED730G

CED730G/CEU730G N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES 400V, 5A, RDS(ON) = 1 @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. D TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C un

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 ceu73a3g ced73a3g.pdf pdf_icon

CED730G

CED73A3G/CEU73A3G N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES 30V, 57A, RDS(ON) = 9m @VGS = 10V. RDS(ON) = 16m @VGS = 4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABS

Otros transistores... CED6056, CED6060N, CED6086, CED6186, CED630N, CED6336, CED6426, CED655, STF13NM60N, CEU16N10, CEU16N10L, CEU21A2, CEU25N15L, CEU3060, CEU3100, CEU3120, CEU3172