CED730G - аналоги и даташиты транзистора

 

CED730G - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: CED730G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 68 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для CED730G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CED730G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:408K  cet
 ceu730g ced730g.pdf pdf_icon

CED730G

CED730G/CEU730GN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES400V, 5A, RDS(ON) = 1 @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired.DTO-251 & TO-252 package.DGGSCEU SERIESCED SERIESTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C un

 9.1. Size:393K  cet
 ceu73a3g ced73a3g.pdf pdf_icon

CED730G

CED73A3G/CEU73A3GN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES30V, 57A, RDS(ON) = 9m @VGS = 10V. RDS(ON) = 16m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABS

Другие MOSFET... CED6056 , CED6060N , CED6086 , CED6186 , CED630N , CED6336 , CED6426 , CED655 , IRFZ24N , CEU16N10 , CEU16N10L , CEU21A2 , CEU25N15L , CEU3060 , CEU3100 , CEU3120 , CEU3172 .

History: IRFP451 | NCE50NF180F | CHM6030LPAGP | IXFR26N60Q | NCE50NF180 | IPL65R165CFD | IXFR26N100P

 

 
Back to Top

 


 
.