Справочник MOSFET. CED730G

 

CED730G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CED730G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 68 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
   Тип корпуса: TO251
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

CED730G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:408K  cet
 ceu730g ced730g.pdf pdf_icon

CED730G

CED730G/CEU730GN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES400V, 5A, RDS(ON) = 1 @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired.DTO-251 & TO-252 package.DGGSCEU SERIESCED SERIESTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C un

 9.1. Size:393K  cet
 ceu73a3g ced73a3g.pdf pdf_icon

CED730G

CED73A3G/CEU73A3GN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES30V, 57A, RDS(ON) = 9m @VGS = 10V. RDS(ON) = 16m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABS

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: SVG062R8NL5 | CEB6186 | SVS65R280DD4TR | SVGP20110NSTR | SVG108R5NAT | SWSI4N70D1 | BUK7675-55A

 

 
Back to Top

 


 
.