CED730G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CED730G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 68 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 400 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для CED730G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CED730G даташит

 ..1. Size:408K  cet
 ceu730g ced730g.pdf pdf_icon

CED730G

CED730G/CEU730G N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES 400V, 5A, RDS(ON) = 1 @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. D TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C un

 9.1. Size:393K  cet
 ceu73a3g ced73a3g.pdf pdf_icon

CED730G

CED73A3G/CEU73A3G N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES 30V, 57A, RDS(ON) = 9m @VGS = 10V. RDS(ON) = 16m @VGS = 4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABS

Другие IGBT... CED6056, CED6060N, CED6086, CED6186, CED630N, CED6336, CED6426, CED655, STF13NM60N, CEU16N10, CEU16N10L, CEU21A2, CEU25N15L, CEU3060, CEU3100, CEU3120, CEU3172