CEU25N15L Todos los transistores

 

CEU25N15L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CEU25N15L

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 83.3 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 150 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 25 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 3 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 245 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.07 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO252

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CEU25N15L Datasheet (PDF)

1.1. ceu25n15l ced25n15l.pdf Size:410K _cet

CEU25N15L
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CED25N15L/CEU25N15L N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 150V, 25A, RDS(ON) = 70m? @VGS = 10V. RDS(ON) = 80m? @VGS = 5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAXIMUM RAT

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