CEU25N15L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CEU25N15L
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 83.3 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 150 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 25 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
Carga de la puerta (Qg): 72 nC
Tiempo de subida (tr): 3 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 245 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.07 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET CEU25N15L
CEU25N15L Datasheet (PDF)
ceu25n15l ced25n15l.pdf
CED25N15L/CEU25N15LN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES150V, 25A, RDS(ON) = 70m @VGS = 10V. RDS(ON) = 80m @VGS = 5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXI
ced25n02 ceu25n02.pdf
CED25N02/CEU25N02N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES20V, 25A, RDS(ON) = 23m @VGS = 4.5V. RDS(ON) = 33m @VGS = 2.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead-free plating ; RoHS compliant.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PA
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