CEU25N15L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CEU25N15L
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 83.3 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 150 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 25 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tiempo de elevación (tr): 3 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 245 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.07 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO252
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CEU25N15L Datasheet (PDF)
1.1. ceu25n15l ced25n15l.pdf 
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CED25N15L/CEU25N15L N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 150V, 25A, RDS(ON) = 70m? @VGS = 10V. RDS(ON) = 80m? @VGS = 5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAXIMUM RAT
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