CEU25N15L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CEU25N15L
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83.3 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 245 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de CEU25N15L MOSFET
CEU25N15L Datasheet (PDF)
ceu25n15l ced25n15l.pdf
CED25N15L/CEU25N15LN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES150V, 25A, RDS(ON) = 70m @VGS = 10V. RDS(ON) = 80m @VGS = 5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXI
ced25n02 ceu25n02.pdf
CED25N02/CEU25N02N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES20V, 25A, RDS(ON) = 23m @VGS = 4.5V. RDS(ON) = 33m @VGS = 2.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead-free plating ; RoHS compliant.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PA
Otros transistores... CED630N , CED6336 , CED6426 , CED655 , CED730G , CEU16N10 , CEU16N10L , CEU21A2 , AO3401 , CEU3060 , CEU3100 , CEU3120 , CEU3172 , CEU3252 , CEU4060A , CEU4060AL , CEU40N10 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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