CEU25N15L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CEU25N15L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 245 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для CEU25N15L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEU25N15L даташит

 ..1. Size:410K  cet
 ceu25n15l ced25n15l.pdf pdf_icon

CEU25N15L

CED25N15L/CEU25N15L N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 150V, 25A, RDS(ON) = 70m @VGS = 10V. RDS(ON) = 80m @VGS = 5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAXI

 8.1. Size:272K  cet
 ced25n02 ceu25n02.pdf pdf_icon

CEU25N15L

CED25N02/CEU25N02 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES 20V, 25A, RDS(ON) = 23m @VGS = 4.5V. RDS(ON) = 33m @VGS = 2.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead-free plating ; RoHS compliant. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PA

Другие IGBT... CED630N, CED6336, CED6426, CED655, CED730G, CEU16N10, CEU16N10L, CEU21A2, P60NF06, CEU3060, CEU3100, CEU3120, CEU3172, CEU3252, CEU4060A, CEU4060AL, CEU40N10