CEU55N10 Todos los transistores

 

CEU55N10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CEU55N10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 55 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 240 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

CEU55N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:862K  cet
 ceu55n10 ced55n10.pdf pdf_icon

CEU55N10

CED55N10/CEU55N10N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES100V, 55A, RDS(ON) = 16m @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead-free plating ; RoHS compliant.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc

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History: BSZ018NE2LS | BSO033N03MSG | NTD5803N

 

 
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