CEU55N10 Todos los transistores

 

CEU55N10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CEU55N10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 55 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 240 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET CEU55N10

 

CEU55N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:862K  cet
 ceu55n10 ced55n10.pdf pdf_icon

CEU55N10

CED55N10/CEU55N10 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES 100V, 55A, RDS(ON) = 16m @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead-free plating ; RoHS compliant. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc

Otros transistores... CEU3172 , CEU3252 , CEU4060A , CEU4060AL , CEU40N10 , CEU4204 , CEU540L , CEU540N , IRFB7545 , CEU6056 , CEU6060N , CEU6086 , CEU6186 , CEU630N , CEU6336 , CEU6426 , CEU655 .

History: CES2312

 

 
Back to Top

 


 
.