CEU55N10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CEU55N10
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83.3 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 55 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 240 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de CEU55N10 MOSFET
CEU55N10 Datasheet (PDF)
ceu55n10 ced55n10.pdf

CED55N10/CEU55N10N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES100V, 55A, RDS(ON) = 16m @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead-free plating ; RoHS compliant.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc
Otros transistores... CEU3172 , CEU3252 , CEU4060A , CEU4060AL , CEU40N10 , CEU4204 , CEU540L , CEU540N , 8N60 , CEU6056 , CEU6060N , CEU6086 , CEU6186 , CEU630N , CEU6336 , CEU6426 , CEU655 .
History: HM80N03 | 2SK3417B | VBL1101M | AUIRFS4610TRL | TMU830 | VS3508AE | SSM2302GN
History: HM80N03 | 2SK3417B | VBL1101M | AUIRFS4610TRL | TMU830 | VS3508AE | SSM2302GN



Liste
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