CEU55N10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CEU55N10

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 83.3 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 55 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 9 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 240 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.016 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO252

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CEU55N10 Datasheet (PDF)

1.1. ceu55n10 ced55n10.pdf Size:862K _cet

CED55N10/CEU55N10 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES 100V, 55A, RDS(ON) = 16m? @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead-free plating ; RoHS compliant. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25

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