CEU55N10. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CEU55N10

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 240 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для CEU55N10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEU55N10 даташит

 ..1. Size:862K  cet
 ceu55n10 ced55n10.pdf pdf_icon

CEU55N10

CED55N10/CEU55N10 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES 100V, 55A, RDS(ON) = 16m @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead-free plating ; RoHS compliant. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc

Другие IGBT... CEU3172, CEU3252, CEU4060A, CEU4060AL, CEU40N10, CEU4204, CEU540L, CEU540N, IRFB7545, CEU6056, CEU6060N, CEU6086, CEU6186, CEU630N, CEU6336, CEU6426, CEU655