CEU55N10 - аналоги и даташиты транзистора

 

CEU55N10 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: CEU55N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 240 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для CEU55N10

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEU55N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:862K  cet
 ceu55n10 ced55n10.pdf pdf_icon

CEU55N10

CED55N10/CEU55N10N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES100V, 55A, RDS(ON) = 16m @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead-free plating ; RoHS compliant.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc

Другие MOSFET... CEU3172 , CEU3252 , CEU4060A , CEU4060AL , CEU40N10 , CEU4204 , CEU540L , CEU540N , 8N60 , CEU6056 , CEU6060N , CEU6086 , CEU6186 , CEU630N , CEU6336 , CEU6426 , CEU655 .

History: VBL2625 | 2SK3111-S | PSMN4R3-80BS | NTD65N03R-035 | SI2309CDS-T1-GE3 | GSM4946BW | AP3P7R0EJB

 

 
Back to Top

 


 
.