CEU655 Todos los transistores

 

CEU655 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CEU655
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 43 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 85 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.45 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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CEU655 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:413K  cet
 ceu655 ced655.pdf pdf_icon

CEU655

CED655/CEU655N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES150V, 6.4A, RDS(ON) = 0.45 @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C

 ..2. Size:846K  cn vbsemi
 ceu655.pdf pdf_icon

CEU655

CEU655www.VBsemi.twN-Channel 200 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) 175 C Junction Temperature2000.245 at VGS = 10 V 10 PWM Optimized 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Primary Side SwitchDTO-252 GSG D S N-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Otros transistores... CEU55N10 , CEU6056 , CEU6060N , CEU6086 , CEU6186 , CEU630N , CEU6336 , CEU6426 , AO4468 , CEU730G , CEU73A3G , CEU740A , CEU75A3 , CEU830G , CEU83A3 , CEU83A3G , CEU840A .

History: IPB014N06N | MMIX1F360N15T2 | NCE50NF600I | BUK9Y4R4-40E | AP85T08GS | 2N6917 | SI7806ADN

 

 
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