CEU655 Todos los transistores

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CEU655 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CEU655

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 43 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 150 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 6.4 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 3 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 85 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.45 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO252

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CEU655 Datasheet (PDF)

1.1. ceu655 ced655.pdf Size:413K _cet

CEU655
CEU655

CED655/CEU655 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES 150V, 6.4A, RDS(ON) = 0.45? @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unles

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