Справочник MOSFET. CEU655

 

CEU655 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CEU655
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 43 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.45 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для CEU655

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEU655 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:413K  cet
 ceu655 ced655.pdf pdf_icon

CEU655

CED655/CEU655N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES150V, 6.4A, RDS(ON) = 0.45 @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C

 ..2. Size:846K  cn vbsemi
 ceu655.pdf pdf_icon

CEU655

CEU655www.VBsemi.twN-Channel 200 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) 175 C Junction Temperature2000.245 at VGS = 10 V 10 PWM Optimized 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Primary Side SwitchDTO-252 GSG D S N-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Другие MOSFET... CEU55N10 , CEU6056 , CEU6060N , CEU6086 , CEU6186 , CEU630N , CEU6336 , CEU6426 , AO4468 , CEU730G , CEU73A3G , CEU740A , CEU75A3 , CEU830G , CEU83A3 , CEU83A3G , CEU840A .

History: MSU11N50Q | 6N65KG-TF3-T

 

 
Back to Top

 


 
.