CEU655. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CEU655

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 43 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.45 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для CEU655

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEU655 даташит

 ..1. Size:413K  cet
 ceu655 ced655.pdf pdf_icon

CEU655

CED655/CEU655 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES 150V, 6.4A, RDS(ON) = 0.45 @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C

 ..2. Size:846K  cn vbsemi
 ceu655.pdf pdf_icon

CEU655

CEU655 www.VBsemi.tw N-Channel 200 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) 175 C Junction Temperature 200 0.245 at VGS = 10 V 10 PWM Optimized 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS Primary Side Switch D TO-252 G S G D S N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Другие IGBT... CEU55N10, CEU6056, CEU6060N, CEU6086, CEU6186, CEU630N, CEU6336, CEU6426, 60N06, CEU730G, CEU73A3G, CEU740A, CEU75A3, CEU830G, CEU83A3, CEU83A3G, CEU840A