CEU730G Todos los transistores

 

CEU730G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CEU730G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 68 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 400 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 7 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 105 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 1 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET CEU730G

 

CEU730G Datasheet (PDF)

1.1. ceu730g ced730g.pdf Size:408K _cet

CEU730G
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CED730G/CEU730G N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES 400V, 5A, RDS(ON) = 1? @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. D TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless

5.1. ceu73a3g ced73a3g.pdf Size:393K _cet

CEU730G
CEU730G

CED73A3G/CEU73A3G N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES 30V, 57A, RDS(ON) = 9m? @VGS = 10V. RDS(ON) = 16m? @VGS = 4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE M

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