CEU730G - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: CEU730G
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 68 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для CEU730G
CEU730G Datasheet (PDF)
ceu730g ced730g.pdf

CED730G/CEU730GN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES400V, 5A, RDS(ON) = 1 @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired.DTO-251 & TO-252 package.DGGSCEU SERIESCED SERIESTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C un
ceu73a3g ced73a3g.pdf

CED73A3G/CEU73A3GN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES30V, 57A, RDS(ON) = 9m @VGS = 10V. RDS(ON) = 16m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABS
Другие MOSFET... CEU6056 , CEU6060N , CEU6086 , CEU6186 , CEU630N , CEU6336 , CEU6426 , CEU655 , 5N50 , CEU73A3G , CEU740A , CEU75A3 , CEU830G , CEU83A3 , CEU83A3G , CEU840A , CEU84A4 .
History: P2503HEA
History: P2503HEA



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP5N10SI | AP5N10MI | AP5N10BSI | AP5N10BI | AP5N06MI | AP5N04MI | AP55N10F | AP50P10P | AP50P10NF | AP50P10D | AP50P04DF | AP50P04D | AP50P03NF | AP50P03DF | AP50P03D | AP30N10D
Popular searches
2sc1222 | 2sc2581 | c1061 transistor | 2sc1451 | c3199 transistor | 2n2712 datasheet | 2sc2525 | tip73