CEUF640 Todos los transistores

 

CEUF640 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CEUF640
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 355 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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CEUF640 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:368K  cet
 ceuf640 cedf640.pdf pdf_icon

CEUF640

CEDF640/CEUF640N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES200V, 15A, RDS(ON) = 0.15 @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless oth

 9.1. Size:390K  cet
 ceuf634 cedf634.pdf pdf_icon

CEUF640

CEDF634/CEUF634N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES250V, 6.7A, RDS(ON) = 450m @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESTO-252(D-PAK) STO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless othe

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History: MMN2302 | ISL9N303AS3 | HSP4048 | EFC8811R | SWD4N65DD | IPS0151S | HMS11N70F

 

 
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