Справочник MOSFET. CEUF640

 

CEUF640 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CEUF640
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 355 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для CEUF640

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEUF640 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:368K  cet
 ceuf640 cedf640.pdf pdf_icon

CEUF640

CEDF640/CEUF640N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES200V, 15A, RDS(ON) = 0.15 @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless oth

 9.1. Size:390K  cet
 ceuf634 cedf634.pdf pdf_icon

CEUF640

CEDF634/CEUF634N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES250V, 6.7A, RDS(ON) = 450m @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESTO-252(D-PAK) STO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless othe

Другие MOSFET... CEU830G , CEU83A3 , CEU83A3G , CEU840A , CEU84A4 , CEU85A3 , CEU93A3 , CEUF634 , IRFZ44 , CED73A3G , CED740A , CED75A3 , CED830G , CED83A3 , CED83A3G , CED840A , CED84A4 .

History: NCE80T560F | TPCA8A09-H | SE30P50 | DMG3413L | TF68N80 | STL9N60M2 | IPB083N10N3G

 

 
Back to Top

 


 
.