CED840A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CED840A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 107 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 125 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.85 Ohm

Encapsulados: TO251

 Búsqueda de reemplazo de CED840A MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

CED840A datasheet

 ..1. Size:398K  cet
 ceu840a ced840a.pdf pdf_icon

CED840A

CED840A/CEU840A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES 500V, 7.5A, RDS(ON) = 0.85 @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. D TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25

 9.1. Size:408K  cet
 ceu84a4 ced84a4.pdf pdf_icon

CED840A

CED84A4/CEU84A4 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 40V, 80A, RDS(ON) = 5.1m @VGS = 10V. RDS(ON) = 7.8m @VGS = 4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). D High power and current handing capability. Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAXIMU

Otros transistores... CEUF634, CEUF640, CED73A3G, CED740A, CED75A3, CED830G, CED83A3, CED83A3G, AO3400, CED84A4, CED85A3, CED93A3, CEDF634, CEDF640, CEE02N6A, CEE02N6G, CEG2288