Справочник MOSFET. CED840A

 

CED840A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CED840A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 107 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 125 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm
   Тип корпуса: TO251
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

CED840A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:398K  cet
 ceu840a ced840a.pdf pdf_icon

CED840A

CED840A/CEU840AN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES500V, 7.5A, RDS(ON) = 0.85 @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired.DTO-251 & TO-252 package.DGGSCEU SERIESCED SERIESTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25

 9.1. Size:408K  cet
 ceu84a4 ced84a4.pdf pdf_icon

CED840A

CED84A4/CEU84A4N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES40V, 80A, RDS(ON) = 5.1m @VGS = 10V.RDS(ON) = 7.8m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).DHigh power and current handing capability.Lead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMU

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: SiS412DN | SVG087R0NT | UTT108N03 | CEB730G | CEDM8001 | UT4957 | CEDM7001

 

 
Back to Top

 


 
.