CEDF634 Todos los transistores

 

CEDF634 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CEDF634
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 46 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 95 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.45 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251
 

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CEDF634 datasheet

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CEDF634

CEDF634/CEUF634 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 250V, 6.7A, RDS(ON) = 450m @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES TO-252(D-PAK) S TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless othe

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 ceuf640 cedf640.pdf pdf_icon

CEDF634

CEDF640/CEUF640 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 200V, 15A, RDS(ON) = 0.15 @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless oth

Otros transistores... CED75A3 , CED830G , CED83A3 , CED83A3G , CED840A , CED84A4 , CED85A3 , CED93A3 , AON6414A , CEDF640 , CEE02N6A , CEE02N6G , CEG2288 , CEG8205A , CEG8208 , CEH2288 , CEH2310 .

 

 
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