CEDF634 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CEDF634
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 46 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 250 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 6.7 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Carga de compuerta (Qg): 26 nC
Tiempo de elevación (tr): 3.5 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 95 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.45 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO251
Búsqueda de reemplazo de MOSFET CEDF634
CEDF634 Datasheet (PDF)
1.1. ceuf634 cedf634.pdf 
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CEDF634/CEUF634 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 250V, 6.7A, RDS(ON) = 450m? @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES TO-252(D-PAK) S TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless otherwise
5.1. ceuf640 cedf640.pdf Size:368K _cet
CEDF640/CEUF640 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 200V, 15A, RDS(ON) = 0.15 ? @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless otherwis
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