CEDF634 Todos los transistores

 

CEDF634 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CEDF634

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 46 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 250 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 6.7 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Carga de compuerta (Qg): 26 nC

Tiempo de elevación (tr): 3.5 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 95 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.45 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO251

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CEDF634 Datasheet (PDF)

1.1. ceuf634 cedf634.pdf Size:390K _cet

CEDF634
CEDF634

CEDF634/CEUF634 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 250V, 6.7A, RDS(ON) = 450m? @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES TO-252(D-PAK) S TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless otherwise

5.1. ceuf640 cedf640.pdf Size:368K _cet

CEDF634
CEDF634

CEDF640/CEUF640 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 200V, 15A, RDS(ON) = 0.15 ? @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless otherwis

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