Справочник MOSFET. CEDF634

 

CEDF634 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CEDF634
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 46 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.45 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для CEDF634

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEDF634 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:390K  cet
 ceuf634 cedf634.pdf pdf_icon

CEDF634

CEDF634/CEUF634N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES250V, 6.7A, RDS(ON) = 450m @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESTO-252(D-PAK) STO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless othe

 9.1. Size:368K  cet
 ceuf640 cedf640.pdf pdf_icon

CEDF634

CEDF640/CEUF640N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES200V, 15A, RDS(ON) = 0.15 @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless oth

Другие MOSFET... CED75A3 , CED830G , CED83A3 , CED83A3G , CED840A , CED84A4 , CED85A3 , CED93A3 , IRFB4110 , CEDF640 , CEE02N6A , CEE02N6G , CEG2288 , CEG8205A , CEG8208 , CEH2288 , CEH2310 .

History: STD30PF03L-1 | SWT69N65K2F | 2SJ285 | APT40N60LCF | SI8499DB | AP40T03GP-HF

 

 
Back to Top

 


 
.