CEE02N6A Todos los transistores

 

CEE02N6A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CEE02N6A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 41 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 46 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 8.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO126
 

 Búsqueda de reemplazo de CEE02N6A MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

CEE02N6A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:455K  cet
 cee02n6a.pdf pdf_icon

CEE02N6A

CEE02N6AN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES600V, 1.3A, RDS(ON) = 8.5 @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead-free plating ; RoHS compliant.TO-126 package.GGDSCEE SERIESTO-126SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless otherwise notedParameter Symbol Limit UnitsD

 7.1. Size:456K  cet
 cee02n6g.pdf pdf_icon

CEE02N6A

CEE02N6GN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES600V, 2.0A, RDS(ON) = 5.0 @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead-free plating ; RoHS compliant.TO-126 package.GCEE SERIESTO-126SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless otherwise notedParameter Symbol Limit UnitsDrain-Sour

Otros transistores... CED83A3 , CED83A3G , CED840A , CED84A4 , CED85A3 , CED93A3 , CEDF634 , CEDF640 , IRFP250N , CEE02N6G , CEG2288 , CEG8205A , CEG8208 , CEH2288 , CEH2310 , CEH2316 , CEH2609 .

History: STP50NE08 | BLS65R380-A | IXTH15N70 | DMP21D2UFA

 

 
Back to Top

 


 
.