Справочник MOSFET. CEE02N6A

 

CEE02N6A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CEE02N6A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 41 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 46 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8.5 Ohm
   Тип корпуса: TO126
 

 Аналог (замена) для CEE02N6A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEE02N6A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:455K  cet
 cee02n6a.pdf pdf_icon

CEE02N6A

CEE02N6AN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES600V, 1.3A, RDS(ON) = 8.5 @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead-free plating ; RoHS compliant.TO-126 package.GGDSCEE SERIESTO-126SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless otherwise notedParameter Symbol Limit UnitsD

 7.1. Size:456K  cet
 cee02n6g.pdf pdf_icon

CEE02N6A

CEE02N6GN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES600V, 2.0A, RDS(ON) = 5.0 @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead-free plating ; RoHS compliant.TO-126 package.GCEE SERIESTO-126SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless otherwise notedParameter Symbol Limit UnitsDrain-Sour

Другие MOSFET... CED83A3 , CED83A3G , CED840A , CED84A4 , CED85A3 , CED93A3 , CEDF634 , CEDF640 , IRF9540 , CEE02N6G , CEG2288 , CEG8205A , CEG8208 , CEH2288 , CEH2310 , CEH2316 , CEH2609 .

History: CS5N100F | AOUS66616 | P1850EF | AM3932N | DMN67D8LW | SPI16N50C3 | BRCS120N06SYM

 

 
Back to Top

 


 
.