CEE02N6G Todos los transistores

 

CEE02N6G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CEE02N6G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 56 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO126
 

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CEE02N6G datasheet

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CEE02N6G

CEE02N6G N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 600V, 2.0A, RDS(ON) = 5.0 @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead-free plating ; RoHS compliant. TO-126 package. G CEE SERIES TO-126 S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless otherwise noted Parameter Symbol Limit Units Drain-Sour

 7.1. Size:455K  cet
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CEE02N6G

CEE02N6A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 600V, 1.3A, RDS(ON) = 8.5 @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead-free plating ; RoHS compliant. TO-126 package. G G D S CEE SERIES TO-126 S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless otherwise noted Parameter Symbol Limit Units D

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