Справочник MOSFET. CEE02N6G

 

CEE02N6G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CEE02N6G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm
   Тип корпуса: TO126
 

 Аналог (замена) для CEE02N6G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEE02N6G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:456K  cet
 cee02n6g.pdf pdf_icon

CEE02N6G

CEE02N6GN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES600V, 2.0A, RDS(ON) = 5.0 @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead-free plating ; RoHS compliant.TO-126 package.GCEE SERIESTO-126SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless otherwise notedParameter Symbol Limit UnitsDrain-Sour

 7.1. Size:455K  cet
 cee02n6a.pdf pdf_icon

CEE02N6G

CEE02N6AN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES600V, 1.3A, RDS(ON) = 8.5 @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead-free plating ; RoHS compliant.TO-126 package.GGDSCEE SERIESTO-126SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless otherwise notedParameter Symbol Limit UnitsD

Другие MOSFET... CED83A3G , CED840A , CED84A4 , CED85A3 , CED93A3 , CEDF634 , CEDF640 , CEE02N6A , IRFB4115 , CEG2288 , CEG8205A , CEG8208 , CEH2288 , CEH2310 , CEH2316 , CEH2609 , CEK01N65 .

History: IXFH30N40Q | AP83T03GH-HF | IPB036N12N3G | PTB14508E | CED04N7G | HM50P02K | STF31N65M5

 

 
Back to Top

 


 
.