CEE02N6G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CEE02N6G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm

Тип корпуса: TO126

Аналог (замена) для CEE02N6G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEE02N6G даташит

 ..1. Size:456K  cet
 cee02n6g.pdf pdf_icon

CEE02N6G

CEE02N6G N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 600V, 2.0A, RDS(ON) = 5.0 @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead-free plating ; RoHS compliant. TO-126 package. G CEE SERIES TO-126 S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless otherwise noted Parameter Symbol Limit Units Drain-Sour

 7.1. Size:455K  cet
 cee02n6a.pdf pdf_icon

CEE02N6G

CEE02N6A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 600V, 1.3A, RDS(ON) = 8.5 @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead-free plating ; RoHS compliant. TO-126 package. G G D S CEE SERIES TO-126 S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless otherwise noted Parameter Symbol Limit Units D

Другие IGBT... CED83A3G, CED840A, CED84A4, CED85A3, CED93A3, CEDF634, CEDF640, CEE02N6A, P55NF06, CEG2288, CEG8205A, CEG8208, CEH2288, CEH2310, CEH2316, CEH2609, CEK01N65