CEG2288 Todos los transistores

 

CEG2288 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CEG2288
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 125 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.024 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSSOP8
 

 Búsqueda de reemplazo de CEG2288 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

CEG2288 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:572K  cet
 ceg2288.pdf pdf_icon

CEG2288

CEG2288Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES20V, 6.2A, RDS(ON) = 24m @VGS = 4.5V. RDS(ON) = 34m @VGS = 2.5V.Super High dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.D 1 8 DLead free product is acquired.2 7 S2S1TSSOP-8 Package.S1 3 6 S24G1 5 G2G2S2S2G1DS1S1DTSSOP-8ABSOLUTE MAXI

Otros transistores... CED840A , CED84A4 , CED85A3 , CED93A3 , CEDF634 , CEDF640 , CEE02N6A , CEE02N6G , 2SK3878 , CEG8205A , CEG8208 , CEH2288 , CEH2310 , CEH2316 , CEH2609 , CEK01N65 , CEK01N65A .

History: NCE70N1K1R | P5506HVG

 

 
Back to Top

 


 
.