CEG2288 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CEG2288

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3.8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 125 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.024 Ohm

Encapsulados: TSSOP8

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CEG2288 datasheet

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CEG2288

CEG2288 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 20V, 6.2A, RDS(ON) = 24m @VGS = 4.5V. RDS(ON) = 34m @VGS = 2.5V. Super High dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D 1 8 D Lead free product is acquired. 2 7 S2 S1 TSSOP-8 Package. S1 3 6 S2 4 G1 5 G2 G2 S2 S2 G1 D S1 S1 D TSSOP-8 ABSOLUTE MAXI

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