Справочник MOSFET. CEG2288

 

CEG2288 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CEG2288
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 8.2 nC
   trⓘ - Время нарастания: 3.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 125 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm
   Тип корпуса: TSSOP8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

CEG2288 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:572K  cet
 ceg2288.pdf pdf_icon

CEG2288

CEG2288Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES20V, 6.2A, RDS(ON) = 24m @VGS = 4.5V. RDS(ON) = 34m @VGS = 2.5V.Super High dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.D 1 8 DLead free product is acquired.2 7 S2S1TSSOP-8 Package.S1 3 6 S24G1 5 G2G2S2S2G1DS1S1DTSSOP-8ABSOLUTE MAXI

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: SWP740D | CEDM7001 | UTT108N03 | SVG087R0NT | CEDM8001

 

 
Back to Top

 


 
.