Справочник MOSFET. CEG2288

 

CEG2288 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CEG2288
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 125 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm
   Тип корпуса: TSSOP8
 

 Аналог (замена) для CEG2288

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEG2288 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:572K  cet
 ceg2288.pdf pdf_icon

CEG2288

CEG2288Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES20V, 6.2A, RDS(ON) = 24m @VGS = 4.5V. RDS(ON) = 34m @VGS = 2.5V.Super High dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.D 1 8 DLead free product is acquired.2 7 S2S1TSSOP-8 Package.S1 3 6 S24G1 5 G2G2S2S2G1DS1S1DTSSOP-8ABSOLUTE MAXI

Другие MOSFET... CED840A , CED84A4 , CED85A3 , CED93A3 , CEDF634 , CEDF640 , CEE02N6A , CEE02N6G , 2SK3878 , CEG8205A , CEG8208 , CEH2288 , CEH2310 , CEH2316 , CEH2609 , CEK01N65 , CEK01N65A .

History: AP4575GM-HF | IRFS645 | SSM3K03FE | CTD03N003

 

 
Back to Top

 


 
.