CEG2288. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CEG2288

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 125 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm

Тип корпуса: TSSOP8

Аналог (замена) для CEG2288

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEG2288 даташит

 ..1. Size:572K  cet
 ceg2288.pdf pdf_icon

CEG2288

CEG2288 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 20V, 6.2A, RDS(ON) = 24m @VGS = 4.5V. RDS(ON) = 34m @VGS = 2.5V. Super High dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D 1 8 D Lead free product is acquired. 2 7 S2 S1 TSSOP-8 Package. S1 3 6 S2 4 G1 5 G2 G2 S2 S2 G1 D S1 S1 D TSSOP-8 ABSOLUTE MAXI

Другие IGBT... CED840A, CED84A4, CED85A3, CED93A3, CEDF634, CEDF640, CEE02N6A, CEE02N6G, 8205A, CEG8205A, CEG8208, CEH2288, CEH2310, CEH2316, CEH2609, CEK01N65, CEK01N65A