CEH2288 Todos los transistores

 

CEH2288 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CEH2288
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 125 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.026 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSOP6
 

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CEH2288 Datasheet (PDF)

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CEH2288

CEH2288N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES20V, 5.2A , RDS(ON) = 26m @VGS = 4.5V. RDS(ON) = 35m @VGS = 2.5V.High dense cell design for extremely low RDS(ON).Rugged and reliable.Lead free product is acquired.D2(5)D1(2)TSOP-6 package.456G1(6) G2(4)321 S1(1) S2(3)TSOP-6ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise notedParam

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