CEH2288 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CEH2288

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3.8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 125 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.026 Ohm

Encapsulados: TSOP6

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CEH2288 datasheet

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CEH2288

CEH2288 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 20V, 5.2A , RDS(ON) = 26m @VGS = 4.5V. RDS(ON) = 35m @VGS = 2.5V. High dense cell design for extremely low RDS(ON). Rugged and reliable. Lead free product is acquired. D2(5) D1(2) TSOP-6 package. 4 5 6 G1(6) G2(4) 3 2 1 S1(1) S2(3) TSOP-6 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise noted Param

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