Справочник MOSFET. CEH2288

 

CEH2288 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CEH2288
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 3.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 125 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.026 Ohm
   Тип корпуса: TSOP6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

CEH2288 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:261K  cet
 ceh2288.pdf pdf_icon

CEH2288

CEH2288N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES20V, 5.2A , RDS(ON) = 26m @VGS = 4.5V. RDS(ON) = 35m @VGS = 2.5V.High dense cell design for extremely low RDS(ON).Rugged and reliable.Lead free product is acquired.D2(5)D1(2)TSOP-6 package.456G1(6) G2(4)321 S1(1) S2(3)TSOP-6ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise notedParam

Другие MOSFET... CED93A3 , CEDF634 , CEDF640 , CEE02N6A , CEE02N6G , CEG2288 , CEG8205A , CEG8208 , AON7408 , CEH2310 , CEH2316 , CEH2609 , CEK01N65 , CEK01N65A , CEK01N6G , CEK01N7 , CEK7002A .

History: NVTFS002N04C | SI9945BDY

 

 
Back to Top

 


 
.