CEH2288. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CEH2288

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 125 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.026 Ohm

Тип корпуса: TSOP6

Аналог (замена) для CEH2288

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEH2288 даташит

 ..1. Size:261K  cet
 ceh2288.pdf pdf_icon

CEH2288

CEH2288 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 20V, 5.2A , RDS(ON) = 26m @VGS = 4.5V. RDS(ON) = 35m @VGS = 2.5V. High dense cell design for extremely low RDS(ON). Rugged and reliable. Lead free product is acquired. D2(5) D1(2) TSOP-6 package. 4 5 6 G1(6) G2(4) 3 2 1 S1(1) S2(3) TSOP-6 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise noted Param

Другие IGBT... CED93A3, CEDF634, CEDF640, CEE02N6A, CEE02N6G, CEG2288, CEG8205A, CEG8208, IRF630, CEH2310, CEH2316, CEH2609, CEK01N65, CEK01N65A, CEK01N6G, CEK01N7, CEK7002A