CEH2609 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: CEH2609
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5(2.5) A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 6(8) nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06(0.1) Ohm
   Paquete / Cubierta: TSOP6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET CEH2609

CEH2609 Datasheet (PDF)

..1. Size:566K cet
ceh2609.pdf

CEH2609Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel)FEATURES20V, 3.5A, RDS(ON) = 60m @VGS = 4.5V. RDS(ON) = 80m @VGS = 2.5V.-20V, -2.5A, RDS(ON) = 100m @VGS = -4.5V. RDS(ON) = 145m @VGS = -2.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).D2(4)D1(6)High power and current handing capability.Lead free product is acquired.4Surface m

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: