CEH2609 Todos los transistores

 

CEH2609 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CEH2609
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5(2.5) A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6(8) nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06(0.1) Ohm
   Paquete / Cubierta: TSOP6
 

 Búsqueda de reemplazo de CEH2609 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

CEH2609 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:566K  cet
 ceh2609.pdf pdf_icon

CEH2609

CEH2609Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel)FEATURES20V, 3.5A, RDS(ON) = 60m @VGS = 4.5V. RDS(ON) = 80m @VGS = 2.5V.-20V, -2.5A, RDS(ON) = 100m @VGS = -4.5V. RDS(ON) = 145m @VGS = -2.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).D2(4)D1(6)High power and current handing capability.Lead free product is acquired.4Surface m

Otros transistores... CEE02N6A , CEE02N6G , CEG2288 , CEG8205A , CEG8208 , CEH2288 , CEH2310 , CEH2316 , IRFP260 , CEK01N65 , CEK01N65A , CEK01N6G , CEK01N7 , CEK7002A , CEM0215 , CEM0310 , CEM0410 .

History: BRCS4828SC | STK5006P | SWD7N60K2F

 

 
Back to Top

 


 
.