CEH2609 Todos los transistores

 

CEH2609 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CEH2609
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5(2.5) A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6(8) nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06(0.1) Ohm
   Paquete / Cubierta: TSOP6
     - Selección de transistores por parámetros

 

CEH2609 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:566K  cet
 ceh2609.pdf pdf_icon

CEH2609

CEH2609Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel)FEATURES20V, 3.5A, RDS(ON) = 60m @VGS = 4.5V. RDS(ON) = 80m @VGS = 2.5V.-20V, -2.5A, RDS(ON) = 100m @VGS = -4.5V. RDS(ON) = 145m @VGS = -2.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).D2(4)D1(6)High power and current handing capability.Lead free product is acquired.4Surface m

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: SWD160R12VT | STP8NS25FP | KP746B1 | AP4407GS-HF | TMPF11N50SG | IPW65R280E6 | SW4N65U

 

 
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