CEH2609 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CEH2609

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5(2.5) A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6(8) nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06(0.1) Ohm

Encapsulados: TSOP6

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CEH2609 datasheet

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CEH2609

CEH2609 Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel) FEATURES 20V, 3.5A, RDS(ON) = 60m @VGS = 4.5V. RDS(ON) = 80m @VGS = 2.5V. -20V, -2.5A, RDS(ON) = 100m @VGS = -4.5V. RDS(ON) = 145m @VGS = -2.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). D2(4) D1(6) High power and current handing capability. Lead free product is acquired. 4 Surface m

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