Справочник MOSFET. CEH2609

 

CEH2609 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CEH2609
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5(2.5) A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6(8) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06(0.1) Ohm
   Тип корпуса: TSOP6
 

 Аналог (замена) для CEH2609

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEH2609 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:566K  cet
 ceh2609.pdf pdf_icon

CEH2609

CEH2609Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel)FEATURES20V, 3.5A, RDS(ON) = 60m @VGS = 4.5V. RDS(ON) = 80m @VGS = 2.5V.-20V, -2.5A, RDS(ON) = 100m @VGS = -4.5V. RDS(ON) = 145m @VGS = -2.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).D2(4)D1(6)High power and current handing capability.Lead free product is acquired.4Surface m

Другие MOSFET... CEE02N6A , CEE02N6G , CEG2288 , CEG8205A , CEG8208 , CEH2288 , CEH2310 , CEH2316 , IRFP260 , CEK01N65 , CEK01N65A , CEK01N6G , CEK01N7 , CEK7002A , CEM0215 , CEM0310 , CEM0410 .

History: HSS3400A | SSM4500GM | DH60N06 | AON7532E | NVD5117PL | SI2301CDS

 

 
Back to Top

 


 
.