CEH2609. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CEH2609

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5(2.5) A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6(8) ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06(0.1) Ohm

Тип корпуса: TSOP6

Аналог (замена) для CEH2609

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEH2609 даташит

 ..1. Size:566K  cet
 ceh2609.pdf pdf_icon

CEH2609

CEH2609 Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel) FEATURES 20V, 3.5A, RDS(ON) = 60m @VGS = 4.5V. RDS(ON) = 80m @VGS = 2.5V. -20V, -2.5A, RDS(ON) = 100m @VGS = -4.5V. RDS(ON) = 145m @VGS = -2.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). D2(4) D1(6) High power and current handing capability. Lead free product is acquired. 4 Surface m

Другие IGBT... CEE02N6A, CEE02N6G, CEG2288, CEG8205A, CEG8208, CEH2288, CEH2310, CEH2316, 2SK3878, CEK01N65, CEK01N65A, CEK01N6G, CEK01N7, CEK7002A, CEM0215, CEM0310, CEM0410