Справочник MOSFET. CEH2609

 

CEH2609 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: CEH2609
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.1 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 12 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.2 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3.5(2.5) A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 3.6 nC
   Время нарастания (tr): 6(8) ns
   Выходная емкость (Cd): 90 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.06(0.1) Ohm
   Тип корпуса: TSOP6

 Аналог (замена) для CEH2609

 

 

CEH2609 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:566K  cet
 ceh2609.pdf

CEH2609 CEH2609

CEH2609Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel)FEATURES20V, 3.5A, RDS(ON) = 60m @VGS = 4.5V. RDS(ON) = 80m @VGS = 2.5V.-20V, -2.5A, RDS(ON) = 100m @VGS = -4.5V. RDS(ON) = 145m @VGS = -2.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).D2(4)D1(6)High power and current handing capability.Lead free product is acquired.4Surface m

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top