CEK7002A Todos los transistores

 

CEK7002A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CEK7002A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3.3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 6 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO92
 

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CEK7002A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:395K  cet
 cek7002a.pdf pdf_icon

CEK7002A

CEK7002AN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES60V, 0.3A, RDS(ON) = 6 @VGS = 10V. RDS(ON) = 6 @VGS = 5V.High dense cell design for extremely low RDS(ON).Rugged and reliable.DLead free product is acquired.TO-92 package.GGDSTO-92SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise notedParameter Symbol Limit UnitsDrain-Sou

Otros transistores... CEH2288 , CEH2310 , CEH2316 , CEH2609 , CEK01N65 , CEK01N65A , CEK01N6G , CEK01N7 , IRLB4132 , CEM0215 , CEM0310 , CEM0410 , CEM0415 , CEM1010 , CEM2182 , CEM2539A , CEM26138 .

History: IPZ65R065C7 | SQJ431EP | AOSP21357 | CEK01N7 | TPW60R040MFD | FDD107AN06LA0 | TPW60R080M

 

 
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