CEK7002A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: CEK7002A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 3.3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 6 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO92

Búsqueda de reemplazo de MOSFET CEK7002A

CEK7002A Datasheet (PDF)

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cek7002a.pdf

CEK7002AN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES60V, 0.3A, RDS(ON) = 6 @VGS = 10V. RDS(ON) = 6 @VGS = 5V.High dense cell design for extremely low RDS(ON).Rugged and reliable.DLead free product is acquired.TO-92 package.GGDSTO-92SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise notedParameter Symbol Limit UnitsDrain-Sou

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