CEK7002A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CEK7002A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3.3 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 6 Ohm

Encapsulados: TO92

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CEK7002A datasheet

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CEK7002A

CEK7002A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES 60V, 0.3A, RDS(ON) = 6 @VGS = 10V. RDS(ON) = 6 @VGS = 5V. High dense cell design for extremely low RDS(ON). Rugged and reliable. D Lead free product is acquired. TO-92 package. G G D S TO-92 S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise noted Parameter Symbol Limit Units Drain-Sou

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