CEK7002A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CEK7002A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3.3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6 Ohm

Тип корпуса: TO92

Аналог (замена) для CEK7002A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEK7002A даташит

 ..1. Size:395K  cet
 cek7002a.pdf pdf_icon

CEK7002A

CEK7002A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES 60V, 0.3A, RDS(ON) = 6 @VGS = 10V. RDS(ON) = 6 @VGS = 5V. High dense cell design for extremely low RDS(ON). Rugged and reliable. D Lead free product is acquired. TO-92 package. G G D S TO-92 S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise noted Parameter Symbol Limit Units Drain-Sou

Другие IGBT... CEH2288, CEH2310, CEH2316, CEH2609, CEK01N65, CEK01N65A, CEK01N6G, CEK01N7, IRLB4132, CEM0215, CEM0310, CEM0410, CEM0415, CEM1010, CEM2182, CEM2539A, CEM26138