CEM0215 Todos los transistores

 

CEM0215 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CEM0215
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.43 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8
 

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CEM0215 Datasheet (PDF)

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CEM0215

CEM0215PRELIMINARYN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES150V, 2A, RDS(ON) = 440m @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired.D D D D8 7 6 5Surface mount Package.SO-81 2 3 41 S S S GABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise notedParameter

Otros transistores... CEH2310 , CEH2316 , CEH2609 , CEK01N65 , CEK01N65A , CEK01N6G , CEK01N7 , CEK7002A , AO3400 , CEM0310 , CEM0410 , CEM0415 , CEM1010 , CEM2182 , CEM2539A , CEM26138 , CEM2939 .

History: FQB50N06TM | APT8043BLL | KRF7309 | 4N80G-TN3-R | BLP05N08G-P | FQB9N50TM | IRFN150SMD

 

 
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