CEM0215. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CEM0215

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.43 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для CEM0215

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEM0215 даташит

 ..1. Size:394K  cet
 cem0215.pdf pdf_icon

CEM0215

CEM0215 PRELIMINARY N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 150V, 2A, RDS(ON) = 440m @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. D D D D 8 7 6 5 Surface mount Package. SO-8 1 2 3 4 1 S S S G ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise noted Parameter

Другие IGBT... CEH2310, CEH2316, CEH2609, CEK01N65, CEK01N65A, CEK01N6G, CEK01N7, CEK7002A, AO3401, CEM0310, CEM0410, CEM0415, CEM1010, CEM2182, CEM2539A, CEM26138, CEM2939