Справочник MOSFET. CEM0215

 

CEM0215 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CEM0215
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.43 Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для CEM0215

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEM0215 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:394K  cet
 cem0215.pdf pdf_icon

CEM0215

CEM0215PRELIMINARYN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES150V, 2A, RDS(ON) = 440m @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired.D D D D8 7 6 5Surface mount Package.SO-81 2 3 41 S S S GABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise notedParameter

Другие MOSFET... CEH2310 , CEH2316 , CEH2609 , CEK01N65 , CEK01N65A , CEK01N6G , CEK01N7 , CEK7002A , AO3400 , CEM0310 , CEM0410 , CEM0415 , CEM1010 , CEM2182 , CEM2539A , CEM26138 , CEM2939 .

History: MPSA60M082 | SVF18NE50PN | 2SK1831 | SSM6J412TU | DH066N06 | HGK020N10S | STF28NM50N

 

 
Back to Top

 


 
.