CEM0310 Todos los transistores

 

CEM0310 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CEM0310
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 84 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.18 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8
 

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CEM0310 Datasheet (PDF)

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CEM0310

CEM0310Single N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES100V, 2.6A, RDS(ON) = 180m @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired.D D D DSurface mount Package.8 7 6 5SO-81 2 3 41 S S S GABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise notedParameter Symb

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