CEM0310 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: CEM0310
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.6 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 3 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 84 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
Тип корпуса: SO8
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
CEM0310 Datasheet (PDF)
cem0310.pdf

CEM0310Single N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES100V, 2.6A, RDS(ON) = 180m @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired.D D D DSurface mount Package.8 7 6 5SO-81 2 3 41 S S S GABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise notedParameter Symb
Другие MOSFET... CEH2316 , CEH2609 , CEK01N65 , CEK01N65A , CEK01N6G , CEK01N7 , CEK7002A , CEM0215 , 2SK3568 , CEM0410 , CEM0415 , CEM1010 , CEM2182 , CEM2539A , CEM26138 , CEM2939 , CEM3032 .
History: SI9945BDY | NVTFS002N04C
History: SI9945BDY | NVTFS002N04C



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2n3403 | 2sa750 | tip117 | 2n3643 | 2sc2078 transistor equivalent | 2sc2073 | a608 transistor | c536 transistor