CEM0410 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CEM0410

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.12 Ohm

Encapsulados: SO8

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CEM0410 datasheet

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CEM0410

CEM0410 Single N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES 100V, 3.4A, RDS(ON) = 120m @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. D D D D Surface mount Package. 8 7 6 5 SO-8 1 2 3 4 1 S S S G ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise noted Pa

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CEM0410

CEM0415 PRELIMINARY N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 150V, 4A, RDS(ON) = 85m @VGS = 10V. RDS(ON) = 95m @VGS = 6V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D D D D Lead-free plating ; RoHS compliant. 8 7 6 5 Surface mount Package. SO-8 1 2 3 4 1 S S S G ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25

Otros transistores... CEH2609, CEK01N65, CEK01N65A, CEK01N6G, CEK01N7, CEK7002A, CEM0215, CEM0310, IRFP260, CEM0415, CEM1010, CEM2182, CEM2539A, CEM26138, CEM2939, CEM3032, CEM3060