CEM0410. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CEM0410

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для CEM0410

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEM0410 даташит

 ..1. Size:737K  cet
 cem0410.pdf pdf_icon

CEM0410

CEM0410 Single N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES 100V, 3.4A, RDS(ON) = 120m @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. D D D D Surface mount Package. 8 7 6 5 SO-8 1 2 3 4 1 S S S G ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise noted Pa

 8.1. Size:402K  cet
 cem0415.pdf pdf_icon

CEM0410

CEM0415 PRELIMINARY N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 150V, 4A, RDS(ON) = 85m @VGS = 10V. RDS(ON) = 95m @VGS = 6V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D D D D Lead-free plating ; RoHS compliant. 8 7 6 5 Surface mount Package. SO-8 1 2 3 4 1 S S S G ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25

Другие IGBT... CEH2609, CEK01N65, CEK01N65A, CEK01N6G, CEK01N7, CEK7002A, CEM0215, CEM0310, IRFP260, CEM0415, CEM1010, CEM2182, CEM2539A, CEM26138, CEM2939, CEM3032, CEM3060