CEM26138 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CEM26138

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30(20) V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20(12) V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.6(6) A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4(7) nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 125(130) pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022(0.027) Ohm

Encapsulados: SO8

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CEM26138 datasheet

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CEM26138

CEM26138 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES 30V, 7.6A, RDS(ON) = 22m @VGS = 10V. RDS(ON) = 33m @VGS = 4.5V. 20V, 6A, RDS(ON) = 27m @VGS = 4.5V. RDS(ON) = 40m @VGS = 2.5V. D1 D1 D2 D2 Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). 8 7 6 5 High power and current handing capability. Lead-free plating ; RoHS compliant. Su

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