CEM26138 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CEM26138
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30(20) V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20(12) V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.6(6) A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 4(7) nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 125(130) pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022(0.027) Ohm
Paquete / Cubierta: SO8
Búsqueda de reemplazo de CEM26138 MOSFET
CEM26138 Datasheet (PDF)
cem26138.pdf
CEM26138Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorPRELIMINARYFEATURES30V, 7.6A, RDS(ON) = 22m @VGS = 10V. RDS(ON) = 33m @VGS = 4.5V.20V, 6A, RDS(ON) = 27m @VGS = 4.5V. RDS(ON) = 40m @VGS = 2.5V.D1 D1 D2 D2Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).8 7 6 5High power and current handing capability.Lead-free plating ; RoHS compliant.Su
Otros transistores... CEK7002A , CEM0215 , CEM0310 , CEM0410 , CEM0415 , CEM1010 , CEM2182 , CEM2539A , 13N50 , CEM2939 , CEM3032 , CEM3060 , CEM3109 , CEM3120 , CEA3252 , CEB10N65 , CEB12N65 .
History: IPW65R190E6 | FDD16AN08A0NF054
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Liste
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