CEM26138 Todos los transistores

 

CEM26138 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CEM26138
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30(20) V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20(12) V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.6(6) A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4(7) nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 125(130) pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022(0.027) Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8
     - Selección de transistores por parámetros

 

CEM26138 Datasheet (PDF)

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CEM26138

CEM26138Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorPRELIMINARYFEATURES30V, 7.6A, RDS(ON) = 22m @VGS = 10V. RDS(ON) = 33m @VGS = 4.5V.20V, 6A, RDS(ON) = 27m @VGS = 4.5V. RDS(ON) = 40m @VGS = 2.5V.D1 D1 D2 D2Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).8 7 6 5High power and current handing capability.Lead-free plating ; RoHS compliant.Su

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: IRFP441R | KPCF8402 | AP9563GK | HM4612 | H02N60I | P9515BD | OSG80R900FF

 

 
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