CEM26138 Todos los transistores

 

CEM26138 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CEM26138
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30(20) V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20(12) V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.6(6) A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4(7) nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 125(130) pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022(0.027) Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8
 

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CEM26138 Datasheet (PDF)

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CEM26138

CEM26138Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorPRELIMINARYFEATURES30V, 7.6A, RDS(ON) = 22m @VGS = 10V. RDS(ON) = 33m @VGS = 4.5V.20V, 6A, RDS(ON) = 27m @VGS = 4.5V. RDS(ON) = 40m @VGS = 2.5V.D1 D1 D2 D2Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).8 7 6 5High power and current handing capability.Lead-free plating ; RoHS compliant.Su

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History: 2SK2146 | IPW65R110CFD | XP151A13A0MR-G | ME80N75F-G | IXTY1N120P

 

 
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