CEM26138. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CEM26138

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30(20) V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20(12) V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.6(6) A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4(7) ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 125(130) pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022(0.027) Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для CEM26138

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEM26138 даташит

 ..1. Size:572K  cet
 cem26138.pdf pdf_icon

CEM26138

CEM26138 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES 30V, 7.6A, RDS(ON) = 22m @VGS = 10V. RDS(ON) = 33m @VGS = 4.5V. 20V, 6A, RDS(ON) = 27m @VGS = 4.5V. RDS(ON) = 40m @VGS = 2.5V. D1 D1 D2 D2 Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). 8 7 6 5 High power and current handing capability. Lead-free plating ; RoHS compliant. Su

Другие IGBT... CEK7002A, CEM0215, CEM0310, CEM0410, CEM0415, CEM1010, CEM2182, CEM2539A, 13N50, CEM2939, CEM3032, CEM3060, CEM3109, CEM3120, CEA3252, CEB10N65, CEB12N65