Справочник MOSFET. CEM26138

 

CEM26138 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CEM26138
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30(20) V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20(12) V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.6(6) A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4(7) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 125(130) pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022(0.027) Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для CEM26138

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEM26138 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:572K  cet
 cem26138.pdf pdf_icon

CEM26138

CEM26138Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorPRELIMINARYFEATURES30V, 7.6A, RDS(ON) = 22m @VGS = 10V. RDS(ON) = 33m @VGS = 4.5V.20V, 6A, RDS(ON) = 27m @VGS = 4.5V. RDS(ON) = 40m @VGS = 2.5V.D1 D1 D2 D2Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).8 7 6 5High power and current handing capability.Lead-free plating ; RoHS compliant.Su

Другие MOSFET... CEK7002A , CEM0215 , CEM0310 , CEM0410 , CEM0415 , CEM1010 , CEM2182 , CEM2539A , TK10A60D , CEM2939 , CEM3032 , CEM3060 , CEM3109 , CEM3120 , CEA3252 , CEB10N65 , CEB12N65 .

 

 
Back to Top

 


 
.